大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND 浙k是浙江哪个城市的Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确浙k是浙江哪个城市的保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 浙k是浙江哪个城市的