大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　什么是艾里斯ABC理论 艾里斯abc理论提出的时间trong>美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息(xī)什么是艾里斯ABC理论 艾里斯abc理论提出的时间基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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