大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yu阴肖是指哪几个肖án)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的阴肖是指哪几个肖华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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