大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(mě竹林七贤顺口溜记忆法，建安七子顺口溜怎么读i)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保竹林七贤顺口溜记忆法，建安七子顺口溜怎竹林七贤顺口溜记忆法，建安七子顺口溜怎么读么读持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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