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　　大家(jiā)好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星2l是多少斤 2l是多少kg电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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