大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络(luò)安全肖姓出过哪些名人名字，肖姓出过哪些名人呢00; line-height: 24px;'>肖姓出过哪些名人名字，肖姓出过哪些名人呢问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(肖姓出过哪些名人名字，肖姓出过哪些名人呢qiān)署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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