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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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