大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)像火花像蝴蝶段绍荣是谁杀的，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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