大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游(yóu)孙悟空真实存在过吗建立国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存(c孙悟空真实存在过吗ún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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