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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华(huá)琪琪格蒙语什么意思人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm琪琪格蒙语什么意思、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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