大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(中山有多少个镇区，中山有多少个镇区,都叫什么名yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法中山有多少个镇区，中山有多少个镇区,都叫什么名律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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