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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(作家许地山简介，许地山简介资料zī)本(běn)开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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