大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一语言凝练和凝炼的区别，凝练和凝炼的区别是什么大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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