大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国奥巴马对中国友好么，奥巴马对中国关系国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 奥巴马对中国友好么，奥巴马对中国关系NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3奥巴马对中国友好么，奥巴马对中国关系维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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