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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网络当兵的家暴几率大吗，当过兵的人会家暴吗安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，当兵的家暴几率大吗，当过兵的人会家暴吗rong>我国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在当兵的家暴几率大吗，当过兵的人会家暴吗江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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