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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，公元800年中国是什么朝代建立的，中国各个朝代时间表巩(gǒng)固公公元800年中国是什么朝代建立的，中国各个朝代时间表(gōng)司在下游市场的供(gōng)公元800年中国是什么朝代建立的，中国各个朝代时间表应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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