大家好，来看一则突发消息。

　　二婚女人一般都嫁什么人，娶二婚女人很丢人吗美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。二婚女人一般都嫁什么人，娶二婚女人很丢人吗p>

　　二婚女人一般都嫁什么人，娶二婚女人很丢人吗p>

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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