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香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息(xī)。

  美光公(gōng)司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患,对我国关香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

  此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查,目的是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全,是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放,只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求,欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中国出(chū)手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称,为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全,防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》,对(duì)美光公司(Micron)在(zài)华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头,也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约(yuē),确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下游市(shì)场的供应优势,公司也(yě)与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

 香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗 有券商此前就分(fēn)析,如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制,或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

  分(fēn)析称,长存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù),薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单,设备国产化进程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(jì)(薄膜沉积)等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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