大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

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　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购在农场英语为什么用on不用at，在农场为什么用on the farm约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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