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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn乌克兰有中国人吗，在乌克兰的中国人安全吗)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.乌克兰有中国人吗，在乌克兰的中国人安全吗85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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