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晓丹小仙女身高 晓丹是什么世界冠军 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美(měi)光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

  据网信办消息(xī),日前(qián),网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光晓丹小仙女身高 晓丹是什么世界冠军公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn),对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规,我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查(chá),目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全,是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng),只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称(chēng),为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全,防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险,维(wéi)护国家(jiā)安全(quán),依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》,网络(luò)安全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu),也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一(yī),2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57%降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdi晓丹小仙女身高 晓丹是什么世界冠军a(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是(sh晓丹小仙女身高 晓丹是什么世界冠军ì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē),确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng),巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势,公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限制,或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露(lù),薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国产化进程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司(sī)份额提升,以及存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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