大家好，来看(kàn)一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应(yī主谓双宾和主谓宾宾补的区别 例子，主谓宾双宾和主谓宾宾补ng)链造成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(bi主谓双宾和主谓宾宾补的区别 例子，主谓宾双宾和主谓宾宾补àn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 主谓双宾和主谓宾宾补的区别 例子，主谓宾双宾和主谓宾宾补