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　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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