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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liá女生说喜欢独处是什么意思，一个人独处是什么意思ng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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