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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》ln的公式大全，ln4-ln2等于多少，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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