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ny是什么牌子中文名 ny是奢侈品牌吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看(kàn)一则突发消息。

  美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

  据网信(xìn)办消息,日前,网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

  审查发现(xiàn),美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患,对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn),影响我(wǒ)国国家安全。为此,网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规,我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

ny是什么牌子中文名 ny是奢侈品牌吗>  此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查,目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全,是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放,只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称,为保障关键信息基础ny是什么牌子中文名 ny是奢侈品牌吗设施供应(yīng)链安全,防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全风险,维护(hù)国家安全,依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购(gòu)!

  美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一,2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市公司(sī)中,江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì),江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē),确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng),巩固公司在下游市场的供应优势,公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

  有券(quàn)商此前就分析,如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制,或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽,催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国(guó)限制名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提(tí)升,以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗)等收入(rù)增(zēng)长。

 

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