大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děn无可厚非是什么意思g)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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