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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。美国总统奥巴马几岁strong>为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国美国总统奥巴马几岁市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。