大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询胡服骑射的故事及启示感悟，胡服骑射的故事告诉我们什么机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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