大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huà染发后只用清水洗头好吗，刚刚染发后怎么清洗是正确的n)，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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