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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查数字大写金额正确写法是什么意思，数字金额大写规范注意，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存数字大写金额正确写法是什么意思，数字金额大写规范注意）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng数字大写金额正确写法是什么意思，数字金额大写规范注意)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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