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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公大闸蟹几月份开始上市，大闸蟹几月份最好吃司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品大闸蟹几月份开始上市，大闸蟹几月份最好吃g>

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上(s大闸蟹几月份开始上市，大闸蟹几月份最好吃hàng)游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。