大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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