大家好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.此非彼是什么意思，此 非彼 是什么意思怎么读52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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