大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查<夏朝距今多少年，夏朝距今多少年2022/p>

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江夏朝距今多少年，夏朝距今多少年2022波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关夏朝距今多少年，夏朝距今多少年2022(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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