大(dà)家好，来看(kàn)一(yī)则突发(fā)消息(xī)。

　　王杰2001年后嗓子变了谁下的毒，王杰2001年后嗓子变了还唱歌吗g>美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安王杰2001年后嗓子变了谁下的毒，王杰2001年后嗓子变了还唱歌吗全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆王杰2001年后嗓子变了谁下的毒，王杰2001年后嗓子变了还唱歌吗科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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