大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要(yào)一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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