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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品台湾是省还是市 台湾是省会吗。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息台湾是省还是市 台湾是省会吗基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好台湾是省还是市 台湾是省会吗(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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