大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供特朗普中文名字叫什么，特朗普英文全名叫什么应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外N特朗普中文名字叫什么，特朗普英文全名叫什么AND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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