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56是什么意思 56是什么尺码 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突发消息。

  美(měi)光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

  据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息,日前,网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

  审查发(fā)现,美光(guāng)公司产品存在(56是什么意思 56是什么尺码zài)较严重网络安全问题隐患,对(duì)我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此,网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规,我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查,目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全,是(shì)维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产品服务进入56是什么意思 56是什么尺码中国市(shì)场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日,中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称,为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng),巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势(shì),公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析(xī),如果美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的深孔,未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo),催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名(míng)单,设备国产化进程加速(sù),看好拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关(guān)公司份额提升,以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等(děng)收入增长。

 

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