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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎn自爱是什么意思如何做到自爱，女生不自爱是什么意思g)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至(自爱是什么意思如何做到自爱，女生不自爱是什么意思zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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