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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信七分之二十二是无理数吗，七分之22是不是无理数息基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品七分之二十二是无理数吗，七分之22是不是无理数网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎ七分之二十二是无理数吗，七分之22是不是无理数i)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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