大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光先公四岁而孤全文翻译及注释，先公四岁而孤全文翻译答案公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影先公四岁而孤全文翻译及注释，先公四岁而孤全文翻译答案响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外(w先公四岁而孤全文翻译及注释，先公四岁而孤全文翻译答案ài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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