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　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)水密码这个牌子靠谱吗，水密码这个牌子怎么样放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　水密码这个牌子靠谱吗，水密码这个牌子怎么样lt="半导体(tǐ)突发！中国出手(shǒu)：停止采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lón水密码这个牌子靠谱吗，水密码这个牌子怎么样g)与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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