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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(马云移民到哪国籍pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美马云移民到哪国籍光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好马云移民到哪国籍拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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