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美不胜收的胜是什么意思三年级,引人入胜的胜是什么意思

美不胜收的胜是什么意思三年级,引人入胜的胜是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发(fā)消息。

  美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信(xìn)办消息,日前,网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患,对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风险,影响我国(guó)国家安(ān)全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规,我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

  此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查,目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全,防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

  半(bàn)导体突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美美不胜收的胜是什么意思三年级,引人入胜的胜是什么意思国的存储芯片行(xíng)业龙头,也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约(yuē)为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē),确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优势,公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此前(qián)就(jiù)分析,如果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制,或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士,国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAN美不胜收的胜是什么意思三年级,引人入胜的胜是什么意思>美不胜收的胜是什么意思三年级,引人入胜的胜是什么意思D时代,2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo),催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露,薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单,设备国产化进(jìn)程(chéng)加速,看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额(é)提(tí)升(shēng),以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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