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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企一里地等于多少米 一里地等于多少公里(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受一里地等于多少米 一里地等于多少公里(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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