大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān当断不断必受其乱是什么意思，当断不断 必受其乱下一句)全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购当断不断必受其乱是什么意思，当断不断 必受其乱下一句占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(b当断不断必受其乱是什么意思，当断不断 必受其乱下一句ō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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